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ICE15N60W	文件：988.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：988.85 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSS	MICROSS
ICE15N60W	文件：602.86 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：602.86 Kbytes 页数：8 Pages	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE15N60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Superjunction MOSFET Gen1	IceMOS	IceMOS
IGB15N60T	文件：364.87 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution 文件：364.87 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGB15N60T	文件：688.45 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：688.45 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGP15N60T	文件：404.96 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology 文件：404.96 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

更多ICE15N60W供应商更新时间2024-4-11 18:15:00