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ICE20N170	文件：944.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features: ■ Low rDS(on) ■ Ultra Low Gate Charge ■ High dv/dt Capability ■ High Unclamped Inductive Switching (UIS) Capability ■ High Peak Current Capability ■ Increased Transconductance Performance ■ Optimized Design For High Performance Power Systems 文件：944.82 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSS	MICROSS
ICE20N170	文件：601.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：601.4 Kbytes 页数：9 Pages	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE20N170	文件：300 bytes Page：1 Pages	Superjunction MOSFET Gen1	IceMOS	IceMOS
ICE20N170B	文件：530.49 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：530.49 Kbytes 页数：9 Pages	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE20N170B	文件：994.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：994.91 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSS	MICROSS
ICE20N170FP	文件：1.1905 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.1905 Mbytes 页数：4 Pages	MICROSS	MICROSS
ICE20N170FP	文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584.62 Kbytes 页数：9 Pages	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE20N170U	文件：944.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：944.16 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSS	MICROSS
ICE20N170U	文件：563.54 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：563.54 Kbytes 页数：9 Pages	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE20N170FP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Superjunction MOSFET Gen1	IceMOS	IceMOS

详细参数

型号：
ICE20N170
制造商：
ICEMOS
制造商全称：
ICEMOS
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	ICE20N170	ICE	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	ICE20N170	N/A	21+	TO-220	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	ICE20N170	ICE	1539+	TO-220F	945	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市鼎欣微电子有限公司	ICE20N65	NIKO-SEM/尼克森	24+	TO220	19000	只做正品原装现货	询价
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更多ICE20N170供应商更新时间2025-12-24 11:00:00

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