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FGPF15N60UNDF	文件：913.2 Kbytes Page：9 Pages	600V, 15A Short Circuit Rated IGBT GeneralDescription UsingadvancedNPTIGBTtechnology,Fairchild’stheNPTIGBTsoffertheoptimumperformanceforlow-powerinverterdrivenapplicationswherelow-lossesandshort-circuitruggednessfeaturesareessential,suchassewingmachine,CNC,motorcontrolandhomeappliances. Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF15N60UNDF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A 42W TO-220F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G15N60	文件：339 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G15N60HS	文件：326.01 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G15N60HS	文件：820.88 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
HMG15N60	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG15N60D	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG15N60F	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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HMS15N60D	文件：995.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

产品属性

产品编号：
FGPF15N60UNDF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，15A
开关能量：
370µJ（开），67µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9.3ns/54.8ns
测试条件：
400V，15A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3
描述：
IGBT 600V 30A 42W TO-220F

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