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FGPF15N60UNDF中文资料600V,15A,短路额定IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGPF15N60UNDF

参数属性

FGPF15N60UNDF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A 42W TO-220F

功能描述

600V,15A,短路额定IGBT
IGBT 600V 30A 42W TO-220F

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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FGPF15N60UNDF规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的 NPT IGBT 产品采用先进的 NPT IGBT 技术,为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最佳性能,比如:缝纫机、数控机床、电机控制和家用电器。

特性 Features

•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 运动控制-家用设备

简介

FGPF15N60UNDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGPF15N60UNDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGPF15N60UNDF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :15

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.2

  • VF Typ (V)

    :1.6

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.067

  • Eon Typ (mJ)

    :0.37

  • Trr Typ (ns)

    :142

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :43

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :42

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2007+
TO220F
333
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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三年内
1983
只做原装正品
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ON/安森美
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TO-220F
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TO220F
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20+
TO220
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