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FGPF15N60UNDF中文资料600V,15A,短路额定IGBT数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
FGPF15N60UNDF |
参数属性 | FGPF15N60UNDF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A 42W TO-220F |
功能描述 | 600V,15A,短路额定IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 18:50:00 |
人工找货 | FGPF15N60UNDF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FGPF15N60UNDF规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 NPT IGBT 产品采用先进的 NPT IGBT 技术,为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最佳性能,比如:缝纫机、数控机床、电机控制和家用电器。
特性 Features
•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 运动控制-家用设备
简介
FGPF15N60UNDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGPF15N60UNDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGPF15N60UNDF
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:15
- VCE(sat) Typ (V)
:2.2
- VF Typ (V)
:1.6
- Eoff Typ (mJ)
:0.067
- Eon Typ (mJ)
:0.37
- Trr Typ (ns)
:142
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:43
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:42
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2007+ |
TO220F |
333 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
19+ |
10000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-220F |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO220F |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Fairchild |
25+23+ |
TO-220 |
30498 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220F(TO-220IS) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
FAIRCHIL |
23+ |
TO220F |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO220 |
5600 |
样品可出,原装现货 |
询价 |