FGP30N6S2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
FGP30N6S2规格书详情
简介
FGP30N6S2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP30N6S2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGP30N6S2
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:600V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:45A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:108A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:2.5V @ 15V,12A
- 功率 - 最大值
:167W
- 开关能量
:55µJ(开),100µJ(关)
- 输入类型
:标准
- 栅极电荷
:23nC
- 25°C 时 Td(开/关)值
:6ns/40ns
- 测试条件
:390V,12A,10 欧姆,15V
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-220-3
- 供应商器件封装
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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