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FGP20N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGP20N60UFD

参数属性

FGP20N60UFD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 165W TO220

功能描述

600V,20A,场截止 IGBT
IGBT 600V 40A 165W TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FGP20N60UFD规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat) =1.8V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关:EOFF =13uJ/A
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 不间断电源

简介

FGP20N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP20N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGP20N60UFD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :20

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :1.9

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.26

  • Eon Typ (mJ)

    :0.38

  • Trr Typ (ns)

    :57

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :63

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :165

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-220-3

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