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FGP20N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGP20N60UFD |
参数属性 | FGP20N60UFD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 165W TO220 |
功能描述 | 600V,20A,场截止 IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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FGP20N60UFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat) =1.8V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关:EOFF =13uJ/A
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 不间断电源
简介
FGP20N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP20N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGP20N60UFD
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:20
- VCE(sat) Typ (V)
:1.8
- VF Typ (V)
:1.9
- Eoff Typ (mJ)
:0.26
- Eon Typ (mJ)
:0.38
- Trr Typ (ns)
:57
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:63
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:165
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
7581 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
15+ |
TO-220 |
19 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
11+ |
TO-220 |
50 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO220 |
17600 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 |