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FGP20N60UFD	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V, 20A Field Stop IGBT General Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High current capability • Low 文件：746.29 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGP20N60UFDTU	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V, 20A Field Stop IGBT General Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High current capability • Low 文件：746.29 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGP20N60UFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V，20A，场截止 IGBT 飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 20A\n•高输入阻抗\n•快速开关：EOFF =13uJ/A\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGP20N60UFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 165W TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
20
VCE(sat) Typ (V)：
1.8
VF Typ (V)：
1.9
Eoff Typ (mJ)：
0.26
Eon Typ (mJ)：
0.38
Trr Typ (ns)：
57
Gate Charge Typ (nC)：
63
PD Max (W)：
165
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FGP20N60UFD	恩XP	23+	D2PAK	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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更多FGP20N60UFD供应商更新时间2026-1-29 17:50:00

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