首页>FGP10N60UNDF>规格书详情
FGP10N60UNDF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGP10N60UNDF |
参数属性 | FGP10N60UNDF 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 600V 20A TO220-3 |
功能描述 | IGBT,600V,10A,短路额定 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
人工找货 | FGP10N60UNDF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FGP10N60UNDF规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 NPT IGBT 产品采用先进的 NPT IGBT 技术,为低损耗和短路耐用性极为重要的低功率逆变器驱动应用(如,缝纫机、CNC、电机控制和家用电器)提供最佳性能。
特性 Features
•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合RoHS标准
应用 Application
• 运动控制-家用设备
简介
FGP10N60UNDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP10N60UNDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGP10N60UNDF
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:10
- VCE(sat) Typ (V)
:2
- VF Typ (V)
:1.8
- Eoff Typ (mJ)
:0.05
- Eon Typ (mJ)
:0.15
- Trr Typ (ns)
:78.9
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:37
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:139
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
1471 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220-3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
onsemi |
两年内 |
NA |
800 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
10+ |
TO-22-3 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
18+ |
TO-220-3 |
4980 |
18+ |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
SOP8 |
6041 |
正规渠道原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
2400 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
12289 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO220 |
30000 |
代理原装现货,价格优势。 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |