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FGPF10N60UNDF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGPF10N60UNDF |
参数属性 | FGPF10N60UNDF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 42W TO-220F |
功能描述 | IGBT,600V,10A,短路额定 |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
人工找货 | FGPF10N60UNDF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FGPF10N60UNDF规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 NPT IGBT 产品采用先进的 NPT IGBT 技术,为低损耗和短路耐用性极为重要的低功率逆变器驱动应用(如,缝纫机、CNC、电机控制和家用电器)提供最佳性能。
特性 Features
•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 运动控制-家用设备
简介
FGPF10N60UNDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGPF10N60UNDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGPF10N60UNDF
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:10
- VCE(sat) Typ (V)
:2
- VF Typ (V)
:1.8
- Eoff Typ (mJ)
:0.05
- Eon Typ (mJ)
:0.15
- Trr Typ (ns)
:78.9
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:37
- Short Circuit Withstand (µs)
:10
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:42
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
161 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
161 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
1932+ |
TO-220F |
1030 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
TO-220F |
13148 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220F |
32687 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |