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FGPF10N60UNDF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGPF10N60UNDF

参数属性

FGPF10N60UNDF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 42W TO-220F

功能描述

IGBT,600V,10A,短路额定
IGBT 600V 20A 42W TO-220F

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FGPF10N60UNDF规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的 NPT IGBT 产品采用先进的 NPT IGBT 技术,为低损耗和短路耐用性极为重要的低功率逆变器驱动应用(如,缝纫机、CNC、电机控制和家用电器)提供最佳性能。

特性 Features

•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 运动控制-家用设备

简介

FGPF10N60UNDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGPF10N60UNDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGPF10N60UNDF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :10

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2

  • VF Typ (V)

    :1.8

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.05

  • Eon Typ (mJ)

    :0.15

  • Trr Typ (ns)

    :78.9

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :37

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :10

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :42

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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