FGP5N60LS中文资料IGBT,600V,5A,场截止数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
FGP5N60LS |
参数属性 | FGP5N60LS 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3 |
功能描述 | IGBT,600V,5A,场截止 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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FGP5N60LS规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的新型系列场截止 IGBT 产品采用新型场截止 IGBT 技术,为 HID 镇流器等低导通损耗至关重要的应用提供最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat) =1.7V @ IC = 5A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 其他工业
简介
FGP5N60LS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP5N60LS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGP5N60LS
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:5
- VCE(sat) Typ (V)
:1.7
- VF Typ (V)
:-
- Eoff Typ (mJ)
:130
- Eon Typ (mJ)
:38
- Trr Typ (ns)
:-
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:18.3
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:83
- Co-Packaged Diode
:No
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
1471 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
688 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
13+ |
TO-220 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220 |
8944 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-220 |
45 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220 |
5100 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
FSC/仙童 |
23+ |
TO-220 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 |