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FGP5N60LS	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，600V，5A，场截止飞兆半导体的新型系列场截止 IGBT 产品采用新型场截止 IGBT 技术，为 HID 镇流器等低导通损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.7V @ IC = 5A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGP5N60LS	文件：252.32 Kbytes Page：8 Pages	600V, 5A Field Stop IGBT 文件：252.32 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGP5N60LS	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGP5N60UFD	文件：710.73 Kbytes Page：10 Pages	600V, 5A Field Stop IGBT 文件：710.73 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGP5N60UFDTU	文件：710.73 Kbytes Page：10 Pages	600V, 5A Field Stop IGBT 文件：710.73 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FIR5N60ABLG	文件：2.98864 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：2.98864 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

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更多FGP5N60LS供应商更新时间2025-12-14 8:12:00