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FGP5N60UFD中文资料600V, 5A Field Stop IGBT数据手册ONSEMI规格书
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简介
FGP5N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP5N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
FGP5N60UFDTU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,5A
- 开关能量:
75µJ(开),59µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
6ns/44ns
- 测试条件:
400V,5A,20 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 10A 81W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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