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FGP5N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGP5N60UFD |
| 参数属性 | FGP5N60UFD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 10A 81W TO220 |
| 功能描述 | 600V, 5A Field Stop IGBT |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | FGP5N60UFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGP5N60UFD规格书详情
简介
FGP5N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGP5N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
FGP5N60UFDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，5A
- 开关能量：
75µJ（开），59µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
6ns/44ns
- 测试条件：
400V，5A，20 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 10A 81W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
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