FGP5N60UFDTU_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-安森美半导体

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厂家型号：
FGP5N60UFDTU
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-220-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-17 16:30:00

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原厂料号：FGP5N60UFDTU品牌：onsemi

资料说明：IGBT 600V 10A 81W TO220

FGP5N60UFDTU是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-220-3的FGP5N60UFDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
fgp5n60ufdtu
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
IGBT 600V 10A 81W TO220

产品属性

类型
描述
产品编号：
FGP5N60UFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，5A
开关能量：
75µJ（开），59µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
6ns/44ns
测试条件：
400V，5A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 10A 81W TO220

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FGP5N60UFDTU

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