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IGP15N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IGP15N60T

参数属性

IGP15N60T 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A 130W TO220-3

功能描述

Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGBT 600V 30A 130W TO220-3

封装外壳

TO-220-3

文件大小

362.11 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 23:00:00

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IGP15N60T规格书详情

IGP15N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGP15N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Features:

• Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)

• Maximum Junction Temperature 175°C

• Short circuit withstand time 5s

• Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

• TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

• Positive temperature coefficient in VCE(sat)

• Low EMI

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IGP15N60TXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    570µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/188ns

  • 测试条件:

    400V,15A,15 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 130W TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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