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RSD046P05	文件：277.03 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -4.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -45V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.155Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：277.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD050N06	文件：276.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 109mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD050N10	文件：276.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD080N06	文件：276.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 80mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD080P05	文件：277.32 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -8A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -45V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 91mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：277.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD100N10	文件：275.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =133mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：275.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD130P10	文件：276.06 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -13A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：276.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD131P10	文件：276.05 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -13A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：276.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD140P06	文件：277.07 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -14A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 84mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：277.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD140P06	文件：1.22253 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TL；Package：SOT-428；4V Drive Pch MOSFET ● Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. ● Application Switching ● Structure Silicon P-channel MOSFET 文件：1.22253 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-14.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.077
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.073
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.077
Total gate charge Qg[nC]：
27.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RSD供应商更新时间2026-3-15 14:00:00

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