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RSD050N10	文件：276.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD050N10	文件：512.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：TL；Package：CPT3；4V Drive Nch MOSFET 文件：512.49 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD050N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD050N10FRA	文件：918.02 Kbytes Page：10 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：918.02 Kbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD050N10TL	文件：986.29 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：986.29 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSD050N10FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.145
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.145
Total gate charge Qg[nC]：
15.0
Power Dissipation (PD)[W]：
15.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多RSD050N10供应商更新时间2026-9-26 16:36:00

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