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RSD050N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 109mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:276.51 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RSD050N06

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00476 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RSD050N06

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:674.88 Kbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

RSD050N06

4V Drive Nch MOSFET

文件:1.2335 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

RSD050N06

4V Drive Nch MOSFET

文件:338.09 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RSD050N06

4V Drive Nch MOSFET

•4V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

RSD050N06FRA

4V Drive Nch MOSFET

文件:1.09484 Mbytes 页数:10 Pages

ROHM

罗姆

RSD050N06TL

4V Drive Nch MOSFET

文件:338.09 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RSD050N06TL

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00487 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RSD050N06FRA

4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)

车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时,请注意下列型号命名方式,编写为车载型号。 •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    CPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    60

  • Drain Current ID[A]:

    5.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.1

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.094

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.078

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.1

  • Total gate charge Qg[nC]:

    4.5

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    15.0

  • Drive Voltage[V]:

    4.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
25+
TO-252
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ROHM/罗姆
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TO-252
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更多RSD050N06供应商 更新时间2026-1-23 14:14:00