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RSD150N06	文件：276.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 40mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD160P05	文件：276.37 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：276.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD175N10	文件：276.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 17.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =105mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD1QP	文件：3.36307 Mbytes Page：47 Pages	L-GAGE® LTF Time of Flight Laser Distance Sensor • High performance time of flight measurement • Extended ranges up to 24 m • Reliably detects challenging targets • Fast set up with intuitive interface 文件：3.36307 Mbytes 页数：47 Pages	BANNER 邦纳电子	BANNER
RSD200N05	文件：275.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 45V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：275.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD200N10	文件：274.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =52mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：274.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD201N10	文件：275.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =46mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：275.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD220N06	文件：275.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：275.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD221N06	文件：275.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：275.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD4409	文件：160.86 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -12A) Features · Advanced Trench Process Technology · High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance · Lead free product is acquired 文件：160.86 Kbytes 页数：4 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG

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技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-14.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.077
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.073
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.077
Total gate charge Qg[nC]：
27.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RSD供应商更新时间2026-3-17 14:00:00

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