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RSD201N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET; • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSD201N10	文件：705.65 Kbytes Page：13 Pages	Nch 100V 20A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSD201N10	文件：862.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RSD201N10FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101); • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested; 车载 MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSD201N10FRA	文件：519.33 Kbytes Page：16 Pages	Nch 100V 20A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
20.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.036
Total gate charge Qg[nC]：
20.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RSD201N10供应商更新时间2025-7-30 10:19:00

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