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RSD200N10

4V Drive Nch MOSFET

•4V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

RSD200N10

丝印:TL;Package:CPT3;4V Drive Nch MOSFET

文件:290.42 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

G200N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:920.07 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

IXFK200N10P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:119.44 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFK200N10P

Power MOSFET

文件:208.05 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    CPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    100

  • Drain Current ID[A]:

    20.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.045

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.041

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.045

  • Total gate charge Qg[nC]:

    48.5

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    20.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM
25+
TO-252
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
ROHM/罗姆
21+
TO252
1925
询价
ROHM/罗姆
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
R
22+
TO-252
6000
十年配单,只做原装
询价
ROHM/罗姆
23+
SOT-252
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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ROHM
21+
TO252
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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ROHM/罗姆
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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RHOM
2023+
TO-252
48000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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ROHM/罗姆
23+
TO-252
89630
当天发货全新原装现货
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ROHM/罗姆
24+
NA/
15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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更多RSD200N10供应商 更新时间2025-12-23 17:11:00