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RSD080P05	文件：277.32 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -8A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -45V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 91mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：277.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD080P05	文件：1.2194 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.2194 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD080P05	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET •4V驱动型 Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD080P05FRA	文件：1.481 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.481 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD080P05FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •4V驱动型 Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-45
Drain Current ID[A]：
-8.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.105
Total gate charge Qg[nC]：
9.0
Power Dissipation (PD)[W]：
15.0
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多RSD080P05供应商更新时间2026-4-17 11:03:00

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