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RSD080N06	文件：276.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 80mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD080N06	文件：1.00489 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00489 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSD080N06	文件：1.16737 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.16737 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD080N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD080N06FRA	文件：1.43139 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.43139 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD080N06FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
8.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.078
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.057
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.078
Total gate charge Qg[nC]：
9.5
Power Dissipation (PD)[W]：
15.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多RSD080N06供应商更新时间2026-1-20 20:45:00

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