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RJP60D0DPE	文件：83.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating and 文件：83.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPK	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating an 文件：84.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPK-00-T0	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating an 文件：84.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPM	文件：81.56 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating an 文件：81.56 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPP-M0	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating 文件：85.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPP-M0-T2	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating 文件：85.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPE_15	文件：83.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：83.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPK_15	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：84.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPP-M0_15	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：85.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPM	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-220FL
通道数：
Single
逆变器：
YES
PFC：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
90
IC (A) @25 °C：
45
IC (A) @100 °C：
22
VCE (sat)(V)：
1.6
tf (µs) 典型值：
0.07
tsc (µs)：
3
Pch (W)：
35
应用：
Inverter
安装类型：
Through Hole

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