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PXAE213708NB中文资料High Power RF LDMOS FET 400 W; 28 V; 2110 - 2200 MHz数据手册MACOM规格书
| 厂商型号 |
PXAE213708NB |
| 参数属性 | PXAE213708NB 封装/外壳为PG-HB2SOF-8-1；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS FET 400 W; 28 V; 2110 - 2200 MHz |
| 封装外壳 | PG-HB2SOF-8-1 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 9:48:00 |
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PXAE213708NB规格书详情
描述 Description
The PXAE213708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS Doherty transistor intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2110 to 2200 MHz frequency band. Features include input and output matching; high gain and thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with an advanced LDMOS process; this device provides excellent thermal performance and superior reliability.
特性 Features
·Broadband internal input and output matching
·Asymmetrical Doherty design: Main P3dB = 160 W Typ; Peak P3dB = 290 W Typ
·Typical Pulsed CW performance; 2180 MHz; 28 V; Doherty configuration; class AB: Output power at P3dB = 400 W; Power Added Efficiency at P3dB = 60.3%; Power Gain = 13.7 dB
·Integrated ESD protection
·Pb-free and RoHS compliant
应用 Application
·Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：PXAE213708NB
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency (MHz)
：2110
- Max Frequency(MHz)
：2200
- P3dB Output Power(W)
：290
- Gain(dB)
：16.0
- Efficiency(%)
：52
- Operating Voltage(V)
：28
- Package Category
：Plastic
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Technology
：LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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