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PXAD184218FV中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PXAD184218FV |
| 参数属性 | PXAD184218FV 封装/外壳为H-37275G-6/2；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz |
| 封装外壳 | H-37275G-6/2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 11:21:00 |
| 人工找货 | PXAD184218FV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
PXAD184218FV-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
130W
- 封装/外壳：
H-37275G-6/2
- 供应商器件封装：
H-37275G-6/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Wolfspeed Inc. |
25+ |
H-37275G-6/2 |
9350 |
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