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PXAD214218FV中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz数据手册Infineon规格书

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厂商型号

PXAD214218FV

参数属性

PXAD214218FV 封装/外壳为H-37275G-6/2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz

封装外壳

H-37275G-6/2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:31:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PXAD214218FV-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    290W

  • 封装/外壳:

    H-37275G-6/2

  • 供应商器件封装:

    H-37275G-6/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

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