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PXAD214218FV数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PXAD214218FV |
| 参数属性 | PXAD214218FV 封装/外壳为H-37275G-6/2；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz |
| 封装外壳 | H-37275G-6/2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 14:23:00 |
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技术参数
- 产品编号：
PXAD214218FV-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
290W
- 封装/外壳：
H-37275G-6/2
- 供应商器件封装：
H-37275G-6/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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