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PTFA261301F V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
PTFA261301F V1 |
参数属性 | PTFA261301F V1 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 |
功能描述 | IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 |
封装外壳 | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 18:35:00 |
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PTFA261301F V1规格书详情
简介
PTFA261301F V1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA261301F V1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:PTFA261301F V1
- 生产厂家
:Infineon
- 频率
:2.68GHz
- 增益
:13.5dB
- 电压 - 测试
:28V
- 额定电流
:10µA
- 噪声系数
:-
- 电流 - 测试
:1.4A
- 功率 - 输出
:130W
- 电压 - 额定
:65V
- 封装/外壳
:2-扁平封装,叶片引线,带法兰
- 供应商器件封装
:H-31260-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
2-扁平封装 叶片引线 带法兰 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Celduc |
24+ |
8215 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
INFINEON |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-31260-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
CELDUC |
24+ |
5000 |
全新原装 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
H312602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |