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PTFA261301F V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

PTFA261301F V1

参数属性

PTFA261301F V1 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2

功能描述

IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2

封装外壳

2-扁平封装,叶片引线,带法兰

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
Infineon
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:35:00

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PTFA261301F V1规格书详情

简介

PTFA261301F V1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA261301F V1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PTFA261301F V1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 频率

    :2.68GHz

  • 增益

    :13.5dB

  • 电压 - 测试

    :28V

  • 额定电流

    :10µA

  • 噪声系数

    :-

  • 电流 - 测试

    :1.4A

  • 功率 - 输出

    :130W

  • 电压 - 额定

    :65V

  • 封装/外壳

    :2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装

    :H-31260-2

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