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PTFA261301E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA261301E |
| 参数属性 | PTFA261301E 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2.62-2.68 GHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 9:08:00 |
| 人工找货 | PTFA261301E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA261301E规格书详情
简介
PTFA261301E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA261301E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA261301E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.68GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
130W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装：
H-30260-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
H-30260-2 |
21000 |
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INFINEON |
2020+ |
DIP |
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INFINEON |
23+ |
xx |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
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现货供应 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
H-30260-2 |
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Infineon Technologies |
24+ |
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Infineon Technologies |
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INFINEON |
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