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PTFA241301F中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA241301F |
| 参数属性 | PTFA241301F 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 15:15:00 |
| 人工找货 | PTFA241301F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA241301F规格书详情
简介
PTFA241301F属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA241301F晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA241301F V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.42GHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
130W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装：
H-31260-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H312602 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-31260-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
7000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
高频管 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INF |
24+ |
4 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
177 |
现货供应 |
询价 |
