首页>PTFA212001FV4XWSA1>规格书详情
PTFA212001FV4XWSA1中文资料IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA212001FV4XWSA1 |
| 参数属性 | PTFA212001FV4XWSA1 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-23 12:01:00 |
| 人工找货 | PTFA212001FV4XWSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA212001FV4XWSA1规格书详情
简介
PTFA212001FV4XWSA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由Infineon制造生产的PTFA212001FV4XWSA1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFA212001FV4XWSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 频率
：2.14GHz
- 增益
：15.8dB
- 电压 - 测试
：30V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：1.6A
- 功率 - 输出
：50W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装
：H-37260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
N |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H372602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
8 |
询价 | ||||
NFINEON |
22+ |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372602 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
320 |
现货供应 |
询价 |
