| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
3150 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
8048 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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6年
留言
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LNFINEONTO-63 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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11年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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12年
留言
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LNFINEONTO-63 |
90000 |
25+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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6年
留言
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ADIH-36265-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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ADIH-36265-2 |
7000 |
23+ |
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8年
留言
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INFINEONSMD |
5500 |
24+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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13年
留言
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LNFINEONTO-63 |
850 |
23+ |
专营高频管模块,全新原装! |
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5年
留言
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LNFINEONTO-63 |
9630 |
25+ |
我们只做原装正品现货!量大价优! |
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5年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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17年
留言
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INF |
7 |
24+ |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌H-36265-2 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH362652 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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17年
留言
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INFINEON/英飞凌H-36265-2 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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3年
留言
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INFINEON高频管 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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6年
留言
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Infineon TechnologiesH362652 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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Infineon TechnologiesH362652 |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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PTFA210601E图片
PTFA210601EV4XWSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFA210601E制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 – 2170 MHz
PTFA210601E V4功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA210601E V4 R250功能描述:IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTFA210601EV4R250FTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:FA210601EV4R25XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Tape and Reel
PTFA210601EV4XWSA1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray






























