| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
7000 |
23+ |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesH-36265-2 |
21000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH362652 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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Infineon TechnologiesH362652 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
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Infineon TechnologiesH362652 |
7000 |
23+ |
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5年
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Infineon TechnologiesH362652 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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6年
留言
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INFINEONH-36265-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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9年
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Infineon TechnologiesH-36265-2 |
21000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH362652 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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INFINEON |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEON |
7000 |
23+ |
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6年
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Infineon TechnologiesH362652 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
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Infineon TechnologiesH362652 |
7000 |
23+ |
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6年
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INFINEONH-36265-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
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Infineon TechnologiesH362652 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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6年
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INFINEONH-36265-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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PTFA210601EV4XWSA1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray




















