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PTFA212001F/1 P4数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA212001F/1 P4 |
| 参数属性 | PTFA212001F/1 P4 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 15:39:00 |
| 人工找货 | PTFA212001F/1 P4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA212001F/1 P4规格书详情
简介
PTFA212001F/1 P4属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA212001F/1 P4晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFA212001F/1 P4
- 生产厂家
：Infineon
- 频率
：2.14GHz
- 增益
：15.8dB
- 电压 - 测试
：30V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：1.6A
- 功率 - 输出
：50W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装
：H-37260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
H372602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
120 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37260-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-37260-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
H-37260-2 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372602 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-59 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 |
