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PTFA192001E中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA192001E |
| 参数属性 | PTFA192001E 封装/外壳为H-36260-2；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz |
| 封装外壳 | H-36260-2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PTFA192001E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA192001E规格书详情
简介
PTFA192001E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA192001E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA192001EV4R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.99GHz
- 增益：
15.9dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
50W
- 封装/外壳：
H-36260-2
- 供应商器件封装：
H-36260-2
- 描述：
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3251 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA |
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ALTERA/INTEL |
23+ |
SMD |
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INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
SMD |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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INF |
24+ |
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询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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INFINEON |
NA |
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Infineon Technologies |
23+ |
H332882 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
