Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

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Cellular (1800 MHz to 1995 MHz)

High Power RF LDMOS FETs, 200 W, 30 V, 1930 – 1990 MHz ·Broadband input and output matching\n Typical two-carrier WCDMA performance at 1990 MHz, 30 V - Average output power = 47 dBm - Linear Gain = 15.9 dB - Efficiency = 27% - IMD = -36 dBc - ACPR = -41 dBc\n ·Typical CW performance, 1960 MHz, 30 V - Output power at P1dB = 240 W - Efficiency = 5;

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Package：H-36260-2；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：IC RF FET LDMOS H-36260-2

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Package：H-36260-2；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

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