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PTFA190451FV4XWSA1中文资料IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA190451FV4XWSA1 |
| 参数属性 | PTFA190451FV4XWSA1 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PTFA190451FV4XWSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA190451FV4XWSA1规格书详情
简介
PTFA190451FV4XWSA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA190451FV4XWSA1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFA190451FV4XWSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 频率
：1.96GHz
- 增益
：17.5dB
- 电压 - 测试
：28V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：450mA
- 功率 - 输出
：11W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装
：H-37265-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
241 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
原厂封装 |
7936 |
询价 | |||
Infineon |
23+ |
高频管 |
500 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
高频管 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INF |
24+ |
17 |
询价 | ||||
INFINEON |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
H372652 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-37265-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372652 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372652 |
7000 |
询价 |
