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PTFA191001E 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
PTFA191001E
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
500
产品封装：
高频管
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-23 16:30:00

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详细信息
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原厂料号：PTFA191001E品牌：Infineon

专营高频管模块,全新原装!

PTFA191001E是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装高频管/2-扁平封装，叶片引线的PTFA191001E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
PTFA191001E
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
11 页
文件大小：
256.13 kb
资料说明：
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz

产品属性

类型
描述
产品编号：
PTFA191001EV4XWSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.96GHz
增益：
17dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
44dBm
封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线
供应商器件封装：
H-36248-2
描述：
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

供应商

企业：
深圳市毅创腾电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
华琦
手机：
13725570869
询价：
电话：
86-755-83616256/83210909
传真：
86-755-83231283
地址：
深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室

PTFA191001E 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 INFINEON/英飞凌

PTFA191001E

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