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PTFA092213EL中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA092213EL |
| 参数属性 | PTFA092213EL 包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC RF FET LDMOS H-33288-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 9:11:00 |
| 人工找货 | PTFA092213EL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA092213EL规格书详情
简介
PTFA092213EL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA092213EL晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA092213ELV4R250XTMA2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述：
IC RF FET LDMOS H-33288-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
H37275 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
H-37275 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
原装INFINEO |
24+ |
SMD |
63200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
H-37275 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
