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PTFA082201FV4XWSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA082201FV4XWSA1 |
| 参数属性 | PTFA082201FV4XWSA1 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 18:03:00 |
| 人工找货 | PTFA082201FV4XWSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA082201FV4XWSA1规格书详情
简介
PTFA082201FV4XWSA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA082201FV4XWSA1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 型号
：ptfa082201fv4xwsa1
- 频率
：894MHz
- 增益
：18dB
- 电压 - 测试
：30V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：1.95A
- 功率 - 输出
：220W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装
：H-37260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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