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PTFA080551E V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA080551E V1 |
| 参数属性 | PTFA080551E V1 封装/外壳为H-36265-2；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 封装外壳 | H-36265-2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 13:48:00 |
| 人工找货 | PTFA080551E V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA080551E V1规格书详情
简介
PTFA080551E V1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA080551E V1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFA080551E V1
- 生产厂家
：Infineon
- 频率
：960MHz
- 增益
：18.5dB
- 电压 - 测试
：28V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：600mA
- 功率 - 输出
：55W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：H-36265-2
- 供应商器件封装
：H-36265-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2023+ |
N-CH+65V+3 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
INFINEO |
23+ |
H-36265 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-36265-2 |
21000 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H362652 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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