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PTFA072401EL中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA072401EL |
| 参数属性 | PTFA072401EL 封装/外壳为H-33288-2；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF LDMOS 240W H33288-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封装外壳 | H-33288-2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 12:01:00 |
| 人工找货 | PTFA072401EL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA072401EL规格书详情
简介
PTFA072401EL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA072401EL晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA072401ELV4XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
765MHz
- 增益：
19dB
- 功率 - 输出：
220W
- 封装/外壳：
H-33288-2
- 供应商器件封装：
H-33288-2
- 描述：
FET RF LDMOS 240W H33288-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H332882 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
NA |
1041 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
H342882 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
H-33288-2 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
