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PTFA081501E V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA081501E V1 |
| 参数属性 | PTFA081501E V1 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 900MHZ H-30248-2 |
| 功能描述 | FET RF 65V 900MHZ H-30248-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 16:59:00 |
| 人工找货 | PTFA081501E V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA081501E V1规格书详情
简介
PTFA081501E V1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA081501E V1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA081501E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
900MHz
- 增益：
18dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
150W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装：
H-30248-2
- 描述：
FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
英飞凌 |
24+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
8021 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INF |
24+ |
51 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
