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PTFA081501F中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 864-900 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA081501F |
| 参数属性 | PTFA081501F 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 864-900 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:31:00 |
| 人工找货 | PTFA081501F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA081501F规格书详情
简介
PTFA081501F属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA081501F晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA081501F V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
900MHz
- 增益：
18dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
150W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装：
H-31248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
H312482 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
INF |
24+ |
5 |
询价 | ||||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
NA |
339 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 |
