首页>PTFA081501F>规格书详情
PTFA081501F数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA081501F |
| 参数属性 | PTFA081501F 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 864-900 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 22:30:00 |
| 人工找货 | PTFA081501F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA081501F规格书详情
简介
PTFA081501F属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA081501F晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA081501F V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
900MHz
- 增益：
18dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
150W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装：
H-31248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3325 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFIEON |
15+ |
射频管 |
35 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
LNFINEON |
24+ |
469 |
现货供应 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | |||
INFINEON |
18+ |
module |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SMD |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 |
