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PTFA092201E V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA092201E V1 |
| 参数属性 | PTFA092201E V1 封装/外壳为H-36260-2；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 |
| 功能描述 | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 |
| 封装外壳 | H-36260-2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 9:33:00 |
| 人工找货 | PTFA092201E V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA092201E V1规格书详情
简介
PTFA092201E V1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA092201E V1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFA092201E V1
- 生产厂家
：Infineon
- 频率
：960MHz
- 增益
：18.5dB
- 电压 - 测试
：30V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：1.85A
- 功率 - 输出
：220W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装
：H-36260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H362602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-36260-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
INFINEON |
28520 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | |||
2318+ |
原厂原包 |
6850 |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-36260-2 |
38550 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
