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PTFA212001FV4R250XTMA1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA212001FV4R250XTMA1 |
| 参数属性 | PTFA212001FV4R250XTMA1 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 18:20:00 |
| 人工找货 | PTFA212001FV4R250XTMA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA212001FV4R250XTMA1规格书详情
简介
PTFA212001FV4R250XTMA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA212001FV4R250XTMA1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFA212001FV4R250XTMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 频率
：2.14GHz
- 增益
：15.8dB
- 电压 - 测试
：30V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：1.6A
- 功率 - 输出
：50W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装
：H-37260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
320 |
现货供应 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
25+ |
2-扁平封装 叶片引线 带法兰 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H372602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
8 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37260-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-37260-2 |
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询价 |
