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PTFA220081M中文资料High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFA220081M |
| 参数属性 | PTFA220081M 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS 10-SON |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 15:08:00 |
| 人工找货 | PTFA220081M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA220081M规格书详情
简介
PTFA220081M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA220081M晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA220081MV4S500XUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
管件
- 描述：
IC AMP RF LDMOS 10-SON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
SON10 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
PG-SON10 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
PG-SON10 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
25011 |
23+ |
INFINEON |
25172 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
INFINEON |
11+ |
QFN |
34 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
PG-SON-10 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
PG-SON10 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
QFN |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 |
