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PTFA220081M数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA220081M |
| 参数属性 | PTFA220081M 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS 10-SON |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | PTFA220081M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA220081M规格书详情
简介
PTFA220081M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA220081M晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA220081MV4S500XUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
管件
- 描述：
IC AMP RF LDMOS 10-SON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
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INFINEON/英飞凌 |
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