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PTFA091503ELV4R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA091503ELV4R0XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA091503ELV4R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA091503ELV4R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA091503ELV4R0XTMA1

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6

InfineonInfineon Technologies AG

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PTFA091503ELV4R250XTMA1

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6

InfineonInfineon Technologies AG

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产品属性

  • 产品编号:

    PTFA091503ELV4R0XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    920MHz ~ 960MHz

  • 增益:

    17dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    150W

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装:

    H-33288-6

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6

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更多PTFA091503ELV4供应商 更新时间2024-6-9 13:02:00