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深圳市金华微盛电子有限公司

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INFINEON/英飞凌H-36260-2

6992

2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市正迈科技有限公司

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INFINEONNA

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23+

原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全

深圳市赛美科科技有限公司

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INFINEONNA

5500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌

190

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现货供应

深圳市拓亿芯电子有限公司

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INFINEON/英飞凌

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全新原装现货 价格优势

深圳市拓亿芯电子有限公司

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INFINEON/英飞凌

1200

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全新原装现货,价格优势

千层芯半导体(深圳)有限公司

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INFINEONSMD

5500

24+

长期供应原装现货实单可谈

深圳市川科科技有限公司

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INFINEON-英飞凌TO-63

18800

24+25+/26+27+

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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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INF

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25+

全新原装自家现货!价格优势!

深圳市百诺芯科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-59

8510

23+

原装正品代理渠道价格优势

深圳市晨豪科技有限公司

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INFINEON/英飞凌N

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当天发货全新原装现货

深圳市一线半导体有限公司

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INF

2

24+

深圳市安富世纪电子有限公司

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INFINEONNA

8000

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只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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INFINEONNA

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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INFINEON高频管

29516

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高频管全新原装主营-可开原型号增税票

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesH362602

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳诚思涵科技有限公司

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INFINEON/英飞凌

98192

25+

价格从优 欢迎来电咨询

深圳市华斯顿科技有限公司

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INFINEONNA

25925

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市正迈科技有限公司

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INFINEONINFINEON

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原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货

深圳市川科科技有限公司

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INFINEON-英飞凌TO-59.高频管

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PTFA092201E/1资讯

PTFA092201EV4R0XTMA1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

PTFA092201E/1中文资料Alldatasheet PDF

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PTFA092201E V1功能描述:IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

PTFA092201E V4功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PTFA092201E V4 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PTFA092201EV1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PTFA092201EV4R250XTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2

PTFA092201EV4XWSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36260 Tray 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Trays 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2