| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌H-36260-2 |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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10年
留言
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INFINEONNA |
28520 |
23+ |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
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11年
留言
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INFINEONNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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14年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
190 |
24+ |
现货供应 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
1200 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
1200 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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8年
留言
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INFINEONSMD |
5500 |
24+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-63 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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13年
留言
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INF |
2789 |
25+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌N |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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17年
留言
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INF |
2 |
24+ |
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6年
留言
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INFINEONNA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEONNA |
7000 |
23+ |
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15年
留言
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INFINEON高频管 |
29516 |
20+ |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH362602 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
98192 |
25+ |
价格从优 欢迎来电咨询 |
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15年
留言
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INFINEONNA |
25925 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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10年
留言
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INFINEONINFINEON |
28520 |
23+ |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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PTFA092201E/1资讯
PTFA092201EV4R0XTMA1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PTFA092201E/1中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFA092201E V1功能描述:IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTFA092201E V4功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA092201E V4 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA092201EV1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA092201EV4R250XTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
PTFA092201EV4XWSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36260 Tray 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Trays 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2































