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PTFA192001F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

文件:285.35 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA192001F V4 R250

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Infineon

英飞凌

PTFA192001FV4FWSA1

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Infineon

英飞凌

PTFA192001F V4 R250

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

INFINEON

英飞凌

PTFA192001FV4FWSA1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • 频率:

    1.99GHz

  • 增益:

    15.9dB

  • 电压 - 测试:

    30V

  • 额定电流:

    10µA

  • 电流 - 测试:

    1.8A

  • 功率 - 输出:

    50W

  • 电压 - 额定:

    65V

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装:

    H-37260-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INF
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1
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INFINEON
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SMD
5500
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Infineon Technologies
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INFINEON/英飞凌
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NI-780S
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更多PTFA192001F供应商 更新时间2026-3-14 15:30:00