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PTFA192001F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA192001F V4 R250

包装:卷带(TR) 封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA192001FV4FWSA1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA192001E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs200W,1930-1990MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFA192001E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    PTFA192001F

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

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Infineon
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更多PTFA192001F供应商 更新时间2024-5-28 16:12:00