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PTFA192001F分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PTFA192001F |
| 参数属性 | PTFA192001F 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 文件大小 |
285.35 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 14:32:00 |
| 人工找货 | PTFA192001F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA192001F规格书详情
PTFA192001F属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTFA192001F晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PTFA192001FV4FWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.99GHz
- 增益：
15.9dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
50W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装：
H-37260-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H372602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INF |
24+ |
1 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
195 |
现货供应 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37260-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NI-780S |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
